IRFH5210TRPBF

1. Pes geçirijilik ýitgileri
2. Has gowy ýylylyk bölünişigini üpjün edýär
3. Ygtybarlylygyň ýokarlanmagy
4. Güýç dykyzlygynyň ýokarlanmagy
5.Multi-satyjy utgaşyklygy
6. Has aňsat önümçilik
7. Daşky gurşaw taýdan arassa
8. Ygtybarlylygyň ýokarlanmagy

Öndürijiniň bölek belgisi: IRFH9310TRPBF
Öndüriji / Marka halkara düzediji (Infineon Technologies)
Düşündirişiň bir bölegi: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Gurşun mugt ýagdaýy / RoHS ýagdaýy: Gurşun mugt / RoHS laýyk
Bir Stockanyň ýagdaýy: Täze asyl, 12000 sany aksiýa bar.
Gämi: Gonkong
Iberiş ýoly: DHL / Fedex / TNT / UPS
Önümiň sypat aýratynlygy gymmaty saýlaň
Bölüm belgisi IRFH9310TRPBF
Öndüriji / Marka halkara düzediji (Infineon Technologies)
Bir Stockanyň mukdary 12000 sany
Kategoriýa Diskret ýarymgeçiriji önümler> Tranzistorlar - FET, MOSFET - leeke
Düşündiriş MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Gurşun mugt ýagdaýy / RoHS ýagdaýy: Gurşun mugt / RoHS laýyk
Giňligi - Içinde -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Naprýa / eniýe / tok - çykyş 1 PQFN (5x6)
Çydamlylyk 5250pF @ 15V
Guýruk görnüşi P-kanal
Stepdim burçy MOSFET (metal oksidi)
Temperatura infineon tehnologiýalaryny gysgaltmak
SFP / XFP görnüşi ± 20V
Uzakdan ukyplylyk HEXFET®
Pit - Kabel üstü dagy
Beýleki atlar mugt / RoHS laýyk gelýär
Beýleki atlar 1
Osilýator görnüşi 8-PowerVDFN
DAC-yň 30V sany
Iň az suwuk aýratyn agyrlyk güýji -
Jübütleşme ugry 4.6 mOhm @ 21A, 10V
Öndüriji bölek belgisi IRFH9310TRPBFDKR-ND
Uzynlyk - Barrel Digi-Reel®
Çyranyň reňki 4.5V, 10V
Sideokary naprýa .eniýe - Maks (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funksiýa 58nC @ 4.5V
Rulon güýji işjeň
Kanalyň kuwwaty (CS (öçürilen), CD (öçürilen)) 3.1W (Ta)
Kart okaýjy görnüşi 2.4V @ 100µA
Aýratynlyklary we peýdalary
Netijeleriň aýratynlyklary
Pes RDSon (≤ 4.6mΩ) Aşaky geçirijilik ýitgileri
Senagat-standart PQFN paket köp satyjy laýyklyk
Gurşun, Bromid we Halogen ekologiýa taýdan arassa ýok RoHS laýyk
netijeleri berýär
Bellik
Forma mukdary
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm lenta we reel 4000
Sargyt edilýän bölek belgisi Paket görnüşi standart paket
VDS -30 V.
RDS (iň ýokary)
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (adaty) 110 nC
RG (adaty) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25 ° C) -21 A.
Absolýut iň ýokary baha
Parametr birlikleri
VDS Drena-çeşme naprýa .eniýesi
VGS derwezeden çeşme naprýa .eniýesi
ID @ TA = 25 ° C Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 ° C Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ -10V
ID @ TC = 25 ° C Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ -10V (Silikon çäklendirilen)
ID @ TC = 70 ° C Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ -10V (Silikon çäklendirilen)
ID @ TC = 25 ° C Üznüksiz zeýkeş akymy, VGS @ -10V (Package Limited)
IDM pulsirlenen zeýkeş akymy
PD @TA = 25 ° C Kuwwatyň ýaýramagy
PD @ TA = 70 ° C Kuwwatyň ýaýramagy
Çyzykly kesgitleýji faktor W / ° C.
TJ operasiýa çatrygy we
TSTG Saklaýyş temperatura aralygy
Gaýtalanýan reýting;impulsyň giňligi maksimum bilen çäklendirilýär.çatryk temperaturasy.
TJ = 25 ° C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A başlamak.
Impulsyň ini ≤ 400µs;paç aýlawy ≤ 2%.
1 dýuým inedördül mis tagta gurlanda.
Rθ takmynan 90 ° C TJ bilen ölçelýär.
Diňe DIZAYN AID üçin önümçilik synagyndan geçmeli däl.